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雙向可控硅使用的注意事項(xiàng)
2021-05-28
現(xiàn)階段交流調(diào)壓多選用雙向可控硅模塊,它具備體型小、質(zhì)地輕、效率高和方便使用等優(yōu)勢(shì),對(duì)提升生產(chǎn)效率和降低成本等均有顯著功效,但它也具備過(guò)載和抗干擾能力差,且在操控大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等弊端,下邊我們來(lái)談?wù)効煽毓枘K在其使用中該如何避開(kāi)上述情況。
1.靈敏度
雙向可控硅模塊是一個(gè)三端元器件,但我們不會(huì)稱其兩極為陰陽(yáng)極,反而稱之為T(mén)1和T2極,G為操控極,其操控極上所加電壓不論為正方向觸發(fā)脈沖或反向觸發(fā)脈沖均可使操控極導(dǎo)通,但觸發(fā)靈敏度互不相同,即確保雙向可控硅模塊能進(jìn)到導(dǎo)通模式的最低門(mén)極電流IGT是有差別的。
2.可控硅模塊過(guò)載的保護(hù)
可控硅模塊元件優(yōu)勢(shì)很多,但它過(guò)載能力差,短期內(nèi)的過(guò)流,過(guò)壓都能導(dǎo)致元器件受損,所以為確保元器件正常的運(yùn)行,需有條件:
(1)外加電壓下容許超出正方向轉(zhuǎn)折電壓,不然控制極將失效;
(2)可控硅模塊的通態(tài)平均電流從安全角度考量通常按最大電流的1.5~2倍來(lái)取;
(3)為確保操控極可靠觸發(fā),加到操控極的觸發(fā)電流通常取高于其額值,除此之外,還需要使用保護(hù)措施,通常對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在線路中串接快速熔斷器,其額定電流取可控硅模塊電流均值的1.5倍上下,其接入的位子可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大點(diǎn),通常多選用前者,過(guò)電壓保護(hù)常出現(xiàn)在存在電感的線路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程造成的過(guò)壓。因?yàn)椋^(guò)電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常選用電阻和電容吸收線路加以抑制。
3.操控大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的避開(kāi)
可控硅模塊元器件操控大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅模塊元器件操控1個(gè)連接電感性負(fù)載的線路斷開(kāi)或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率很大,所以在電感上形成1個(gè)高電壓,這個(gè)電壓經(jīng)過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的電源開(kāi)關(guān),之后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所需要的電壓為止,在這一過(guò)程中將形成很大的脈沖束。這些脈沖束累加在供電電壓上,同時(shí)把干擾傳至供電線或以輻射形式傳進(jìn)周?chē)臻g,這一脈沖具備很高的幅度,很寬的頻率,因此有著感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。
以上就是傳承電子對(duì)雙向可控硅使用的注意事項(xiàng)的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

雙向可控硅模塊是一個(gè)三端元器件,但我們不會(huì)稱其兩極為陰陽(yáng)極,反而稱之為T(mén)1和T2極,G為操控極,其操控極上所加電壓不論為正方向觸發(fā)脈沖或反向觸發(fā)脈沖均可使操控極導(dǎo)通,但觸發(fā)靈敏度互不相同,即確保雙向可控硅模塊能進(jìn)到導(dǎo)通模式的最低門(mén)極電流IGT是有差別的。
2.可控硅模塊過(guò)載的保護(hù)
可控硅模塊元件優(yōu)勢(shì)很多,但它過(guò)載能力差,短期內(nèi)的過(guò)流,過(guò)壓都能導(dǎo)致元器件受損,所以為確保元器件正常的運(yùn)行,需有條件:
(1)外加電壓下容許超出正方向轉(zhuǎn)折電壓,不然控制極將失效;
(2)可控硅模塊的通態(tài)平均電流從安全角度考量通常按最大電流的1.5~2倍來(lái)取;
(3)為確保操控極可靠觸發(fā),加到操控極的觸發(fā)電流通常取高于其額值,除此之外,還需要使用保護(hù)措施,通常對(duì)過(guò)流的保護(hù)措施是在線路中串接快速熔斷器,其額定電流取可控硅模塊電流均值的1.5倍上下,其接入的位子可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大點(diǎn),通常多選用前者,過(guò)電壓保護(hù)常出現(xiàn)在存在電感的線路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過(guò)程造成的過(guò)壓。因?yàn)椋^(guò)電壓的尖峰高,作用時(shí)間短,常選用電阻和電容吸收線路加以抑制。
3.操控大電感負(fù)載時(shí)的干擾電網(wǎng)和自干擾的避開(kāi)
可控硅模塊元器件操控大電感負(fù)載時(shí)會(huì)有干擾電網(wǎng)和自干擾的現(xiàn)象,其原因是當(dāng)可控硅模塊元器件操控1個(gè)連接電感性負(fù)載的線路斷開(kāi)或閉合時(shí),其線圈中的電流通路被切斷,其變化率很大,所以在電感上形成1個(gè)高電壓,這個(gè)電壓經(jīng)過(guò)電源的內(nèi)阻加在開(kāi)關(guān)觸點(diǎn)的電源開(kāi)關(guān),之后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所需要的電壓為止,在這一過(guò)程中將形成很大的脈沖束。這些脈沖束累加在供電電壓上,同時(shí)把干擾傳至供電線或以輻射形式傳進(jìn)周?chē)臻g,這一脈沖具備很高的幅度,很寬的頻率,因此有著感性負(fù)載的開(kāi)關(guān)點(diǎn)是一個(gè)很強(qiáng)的噪聲源。
以上就是傳承電子對(duì)雙向可控硅使用的注意事項(xiàng)的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。
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