igbt模塊的參數介紹

2022-05-20

(1)關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少子）。這種殘余電流值（尾流）的降低，完全取決于關斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導通問題，特別是在使用續流二極管的設備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此，根據所達到的溫度，降低...

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雙向可控硅模塊的觸發方式

2022-05-19

雙向可控硅是由N-P-N-P-N5層半導體材料制作而成的，對外部也導出3個電極，其構造如下圖所示。雙向可控硅等同于2個單向可控硅的反方向并接，但只有一個控制極。雙向可控硅正反2個方向都能導通，門極加正負信號都能觸發，所以有4種觸發形式。（1）I+觸發形式陽極電壓為第1陽極T1為正，第2陽極T2為負；門極電壓G為正，T2為負，特性曲線在第一象限，為正觸發。（2）I-觸發形式陽極電壓為第1陽極T1為正，第2陽極T2為負；門極電壓G為負，T2為正，特性曲線在第一象限，為負觸發。（3）Ⅲ+觸發形式陽極電壓為第1陽極T1為負，第2陽極T2為正；門極電壓G為正，T2為負，特性曲線在第三象限，為...

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IGBT使用時出現的幾類短路故障

2022-05-18

工業生產電機驅動的整體行業發展趨勢是對更高效率及可靠性和穩定性的標準頻頻提升。關于增多絕緣柵極雙極性晶體管（igbt模塊）導通耗損的一些衡量抉擇是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，及更低的熱容量和短路耐受時長。這突顯了柵極驅動器電路及過電流檢測和保護作用的必要性。下列內容講述了如今工業電機驅動中順利可靠地完成短路保護的狀況，并且出示三相電機控制應用中隔離式柵極驅動器的試驗性示例。工業生產環境中的短路故障哪幾個？工業生產電機驅動器的作業環境比較惡劣，也許出現高溫、交流電路瞬變、機械過載、接線有誤及其余突發狀況。當中一些事件很有可能會造成過大的過流進入電機驅動器的功率電路中。圖1展示了3種常見的短路故障事件。...

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可控硅調速線路運行原理詳解

2022-05-17

可控硅調速器線路如下圖9-13所顯示，是普遍使用于小型直流電動機調速的控制線路。調速器線路通常由電壓給定環節、觸發脈沖環節、電壓和電流反饋環節及主回路和勵磁部分構成。線路中選用了電流正反饋和電壓負反饋環節來替代測速發電機進行電樞電壓無級調速。 其運行原理如下所示（1）主線路【圖9-13（a）部分】主線路為單相半控橋式全波整流電路，220V交流電源經整流后，變成直流電動機調壓調速電源。為防止可控硅在接通和斷開過程中產生過電壓，在可控硅V16和V17兩邊各自并連著由電阻R18和電容C8、R19和C9串連組成的阻容保護設備；因為主線路中串連電抗器L，使主電路負載電流連續，并減少了電流脈動；為確保可控硅可靠換...

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igbt模塊的原理

2022-05-16

N溝型的igbt模塊運行是經過柵極－發射極間加閥值電壓VTH以上的（正）電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道），開始從發射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極運行），因此可以降低集電極－發射極間飽和電壓。運行時的等效線路如下圖1（b）所顯示，igbt模塊的符號如下圖1（c）所顯示。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管運行，又成為p+n－pn+晶閘管模塊。電流繼續流動，直到輸出側停止供應電流。經過輸出信號已無法進行控制。通常將這類狀態稱之為閉鎖狀態。為了能抑制n+pn-寄...

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