逆導可控硅（RCT）特性解析

2021-06-24

逆導可控硅RCT(Reverse-ConducTIngThyrisTIr)亦稱反向導通可控硅。其特征是在可控硅的陽極與陰極中間反方向并聯1只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路模式。因為這個特殊線路構造，使之具備耐高壓、耐高溫、斷開時間短、通態電壓低等優異特性。比如，逆導可控硅的斷開時間僅幾微秒，工作頻率達幾十千赫，好于快速可控硅(FSCR)。該元器件適用開關電源、UPS不間斷電源中，1只RCT就可以取代可控硅和續流二極管各1只，不但使用便捷，并且能簡化線路設計。


逆導可控硅的符號、等效電路如下圖1(a)、(b)所顯示。其伏安特性見圖2。由圖可見，逆導可控硅的伏安特性具備不對稱性，正方向特性與普通可控硅SCR同樣，而反方向特性與硅整流管的正方向特性同樣(僅座標位子不一樣)。

逆導可控硅的典型產品有美國無線電公司(RCA)生產的S3900MF，其外型見圖1(c)。它選用TO-220封裝，3個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的基本參數如下所示：

斷態重復峰值電壓VDRM：>750V

通態平均電流IT(AV)：5A

最大通態電壓VT：3V(IT=30A)

最大反向導通電壓VTR：<0.8V

最大門極觸發電壓VGT:4V

最大門極觸發電流IGT:40mA

斷開時間toff:2.4μs

通態電壓臨界值上升率du/dt:120V/μs

通態浪涌電流ITSM:80A

以上就是傳承電子對逆導可控硅（RCT）特性解析的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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