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1)導通

igbt模塊硅片的構造與功率MOSFET的構造非常相近，主要差別是JGBT增添了P+基片和1個N+緩沖層(NPT-非穿通-igbt模塊工藝沒增添這一部分)，當中1個MOSFET驅動2個雙極元器件（有兩個極性的元器件）。

基片的使用在管體的P、和N+區間建立了1個J，結。當正柵偏壓使柵極下邊反演P基區時，1個N溝道便生成，并且出現1個電子流，并完全按照功率MOSFET的方法產生一股電流。

倘若這一電子流產生的電壓在0.7V范圍內，則J1將處在正方向偏壓，一些空穴注入N-區內，并調整N-與N+間的電阻率，這些方法降低了功率導通的總耗損，并開啟了第2個電荷流。最后的結果是在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲：1個電子流（MOSFET電流）；1個空穴電流（雙極）。

當UCE超過開啟電壓UCE(th），MOSFET內生成溝道，為晶體管供應基極電流，igbt模塊導通。

2)導通壓降

電導調制效應使電阻RN減少，通態壓降小。所謂通態壓降，指的是igbt模塊進到導通情況的管壓降UDS，這一電壓隨UCS上升而下降。

3)斷開

當在柵極添加1個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴流入N-區內。在任何情況下，倘若MOSFET的電流在開關階段快速下降，集電極電流則漸漸下降，這也是閡為換向開始后，在N層內還存有少數的載流子（少于）。

這類殘余電流值（尾流）的下降，完全取決斷開時電荷的密度，而密度又與幾種因素相關，如摻雜質的數量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有明顯性尾流波型。集電極電流將造成功耗上升、交叉導通問題，尤其是在使用續流二極管的設施上，問題更為顯著。

鑒于尾流與少子的重組相關，尾流的電流值應與芯片的Tc、IC：和uCE息息相關，而且與空穴移動性有密不可分的關聯。所以，按照所到達的溫度，下降這類作用在終端產品設計上的電流的不理想效應是有效的。當柵極和發射極間添加反壓或不添加信號時，MOSFET內的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，igbt模塊斷開。

4)閂鎖

ICBT在集電極與發射極間有—個寄生PNPN晶閘管。在特殊情況下，這類寄生元器件會導通。這種情況會使集電極與發射極間的電流量提升，對等效MOSFET的控制能力下降，通常還會造成元器件擊穿問題。晶閘管導通情況被稱作igbt模塊閂鎖。總的來看，出現這類缺陷的因素各有不同，但與元器件的情況有密切關系。

以上就是傳承電子對igbt功率模塊基本參數的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。