igbt功率模塊干擾靜態均流的原因

2022-02-21

igbt模塊 是三端元器件，芯片內部構造包括有柵極、集電極和發射極，等效線路如下圖2-1所顯示，在igbt模塊的柵極G和發射極E間加+15V標準電壓，則igbt模塊導通，倘若集電極有上拉電阻，集電極和發射極電壓可能會變成0.2V，即集電極與發射極間因為門極加進正電壓而成低阻模式促使igbt模塊飽和導通;若在igbt模塊的柵極G和發射極E間加進-15V則igbt模塊反方向斷開，加進負壓而不是OV的目標是使igbt模塊可快速而穩定的關斷，對igbt模塊實際運用有重要的含義。
隨著igbt模塊在電氣行業的普遍使用，并接的方式使產品具備更高的功率密度、勻稱的基板熱分布、靈活的布局及較高的性價比等優點。但在，靜態和動態均流問題的存在，限制了igbt模塊通流能力的利用率，目前多選用降額選用。但是選用有源門板電壓主動控制，就無需對igbt模塊驅動安裝進行降額處理和增加設施。

干擾靜態均流的原因

1、并接igbt模塊的直流母線側連接點的電阻分量，所以要盡可能對稱；

2、igbt模塊芯片的Vce（sat）和二極管芯片的VF的差別，所以盡可能選擇相同批次的產品。

3、IGBT模塊所在的溫度差別，設計機械構造及風道時要考量；

4、IGBT模塊所在的磁場差別；

5、柵極電壓Vge的差別。
以上就是傳承電子對igbt功率模塊干擾靜態均流的原因的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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