igbt模塊并聯均流影響因素

2022-02-23

影響動態均流的原因

1、IGBT模塊的開通門檻電壓VGEth的差別，VGEth越高，igbt模塊開通時刻越晚，不同模塊是會有差別；

2、每一個并接的IGBT模塊的直流母線雜散電感L的差別；

3、門極電壓Vge的差別；

4、門極回路中的雜散電感量的差別；

5、IGBT模塊所在溫度的差別；

6、IGBT模塊所在的磁場的差別。
igbt模塊芯片溫度對均流的干擾

igbt模塊芯片的溫度對動態均流性能和靜態均流性能干擾非常大：

1、因為igbt模塊的Vcesat的正溫度系數特點，使溫度高的芯片的Vcesat更高，會分到較少的電流，所以建立了1個負反饋，使靜態均流趨向收斂；

2、實驗表明，芯片溫度上升后，動態均流的性能也會變佳；例如在檢測動態均流時，我們會選用雙脈沖檢測方法，但這時芯片是處在冷態的，當把機器跑起來后，動態均流會改善。

IGBT芯片所在的磁場對均流的干擾

IGBT模塊周圍如果有強磁場，則模塊的均流會受到干擾。

1、倘若2個IGBT模塊并接且并列組裝，如果交流排的輸出電纜在布置時接近當中某1個IGBT模塊而遠離另外1個，則均流性能便會出問題；

2、以上現象的原因是某些大電流在導線上移動的時候會形成磁場，對磁場內的其余導通的電流形成“排斥”或“吸引”的效果；

所以，在架構設計時，要留意交流排出線的走線方式，避免出現磁場的干涉現象。

以上就是傳承電子對igbt模塊并聯均流影響因素的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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