igbt模塊讀寫速度怎么提高？

2022-03-08

igbt模塊斷開耗損大、拖尾嚴重制約了其在高頻運用的發展，而導致igbt模塊延遲開和關的原因主要有兩層面。文中將各自對應這兩層面，提出對應的解決方案，解決元器件拖尾問題，提高igbt模塊開關速度。

igbt模塊斷開耗損大、拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩層面組成：

1）igbt模塊的主導元器件—GTR的基區儲存電荷問題。

2）柵寄生電阻和柵驅動電荷，組成了RC延遲網絡，導致igbt模塊延遲開和關。

這兒，首要探討原因一的解決方案。解決線路見圖（1）。
圖1：提高igbt模塊開關速度技巧（一）

igbt模塊的GTR是借助基區N型半導體，在開通時，通過施加基極電流，使之轉為P型，將原先的PNP型阻擋區變成P-P-P通路。為確保可靠導通，GTR是過度開通的完全飽和模式。

所謂基區儲存效應導致的拖尾，是因為GTR過度飽和，基區N過度轉變成P型。在斷開時，因為P型半導體要復合成本征甚至N型，這一環節導致了元器件的拖尾。
圖2：提高igbt模塊開關速度技巧（二）

該線路選用準飽和驅動形式，讓igbt模塊運行在準飽和模式下。igbt模塊預進到飽和，驅動電壓就會被DC拉低，使之退出飽和狀態，反之igbt模塊驅動電壓上升，VCE下降，接近飽和。對于標準igbt模塊，這線路可以確保，igbt模塊的導通壓降基本維持在3.5V水平，即igbt模塊運行在準線性區。這樣igbt模塊的GTR的基極就不會被過驅動，在斷開時，幾乎沒有復合環節。這樣元器件的拖尾問題就幾乎解決了！目前，唯一存在的問題是igbt模塊的通態壓降略高。

這類形式已經在邏輯IC里盛行。目前的超高速邏輯線路都選用這類構造，包含電腦中的CPU！我們已享用此工作原理，卻并不知道。

以上就是傳承電子對igbt模塊讀寫速度怎么提高的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：可控硅模塊工作原理

下一篇：可控硅有什么主要用途

關注微信公眾號，了解更多資訊