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絕緣柵雙極晶體管綜合了電力晶體管和電力場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢，具備優(yōu)良的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很普遍；igbt模塊也是三端元器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

電力MOSFET元器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開關(guān)元器件；所以其通、斷驅(qū)動控制功率不大，開關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于做成高壓大電流開關(guān)元器件。
電力三極晶體管是雙極型（當(dāng)中，電子、空穴2種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開關(guān)元器件；所以其通-斷控制驅(qū)動功率大，開關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可做成較高電壓和較大電流的開關(guān)元器件。

為了兼具這2種元器件的優(yōu)勢，棄其缺陷，20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)體電力開關(guān)元器件——絕緣柵極雙極型晶體管（insulatedgatebipolartransistor，igbt模塊）。

它是1種復(fù)合元器件，其輸入控制部分為MOSFET，輸出級為雙級結(jié)型三極晶體管；所以兼具MOSFET和電力晶體管的優(yōu)勢，即高輸入阻抗，電壓控制，驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率可達到10~40kHz（比電力三極管高），飽和壓降低（比MOSFET小得多，與電力三極管相當(dāng)），電壓、電流容量較大，安全工作區(qū)域?qū)挕Ｄ壳?500~3000V、800~1800A的igbt模塊元器件已有產(chǎn)品，可供幾千kVA之下的高頻電力電子設(shè)備選用。

圖1為igbt模塊的符號、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等值線路及靜態(tài)特性。igbt模塊也有3個電極：柵極G、發(fā)射極E和集電極C。輸入部分是一個MOSFET管，圖1中Rdr表示MOSFET的等效調(diào)制電阻（即漏極-源極間的等效電阻RDS）。輸出部分為1個PNP三極管T1，另外還有一個內(nèi)部寄生的三極管T2（NPN管），在NPN晶體管T2的基極與發(fā)射極間有1個體區(qū)電阻Rbr。

當(dāng)柵極G與發(fā)射極E間的另加電壓UGE=0時，MOSFET管內(nèi)無導(dǎo)電溝道，其調(diào)配電阻Rdr可視作無窮大，Ic=0，MOSFET處在斷態(tài)。在柵極G與發(fā)射極E間的另加控制電壓UGE，可以轉(zhuǎn)變MOSFET管導(dǎo)電溝道的寬度，進而轉(zhuǎn)變調(diào)配電阻Rdr，這就轉(zhuǎn)變了輸出晶體管T1（PNP管）的基極電流，控制了IGBT管的集電極電流Ic。

當(dāng)UGE足夠大時（例如15V），則T1飽和導(dǎo)電，igbt模塊進入通態(tài)。一旦撤除UGE，即UGE=0，則MOSFET從通態(tài)轉(zhuǎn)至斷態(tài)，T1截止，igbt模塊元器件從通態(tài)轉(zhuǎn)至斷態(tài)。

以上就是傳承電子對igbt模塊的基本原理的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。