国产私拍视频国产特级WW,国产1区2区国产成人ab片,在线国产精品系列,卡通动漫页亚洲精品

igbt模塊的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。

igbt模塊的伏安特性指的是以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止模式下的igbt模塊，正方向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反方向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。倘若無N+緩沖區(qū)，則正反方向阻斷電壓可以達(dá)到同樣的水平，進(jìn)入N+緩沖區(qū)后，反方向斷開電壓只可以達(dá)到幾十伏水平，所以限制了igbt模塊的某一些使用范圍。

igbt模塊的轉(zhuǎn)移特性指的是輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性一樣，當(dāng)柵源電壓低于開啟電壓Ugs(th)時(shí)，igbt模塊處在斷開模式。在igbt模塊導(dǎo)通后的大多數(shù)漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值通常取為15V左右。

igbt模塊的開關(guān)特性指的是漏極電流與漏源電壓間的關(guān)系。igbt模塊處在導(dǎo)通態(tài)時(shí)，因?yàn)樗腜NP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效線路為達(dá)林頓構(gòu)造，但流經(jīng)MOSFET的電流變成igbt模塊總電流的主要部分。這時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on)可以用下式表明：

Uds(on)＝Uj1＋Udr＋I(xiàn)dRoh

式中Uj1——JI結(jié)的正方向電壓，其值為0.7～1V；Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。

通態(tài)電流Ids可以用下式表明：

Ids=(1+Bpnp)Imos

式中Imos——流經(jīng)MOSFET的電流。

因?yàn)镹+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以igbt模塊的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的igbt模塊通態(tài)壓降為2～3V。igbt模塊處在斷態(tài)時(shí)，僅有很小的泄漏電流存在。

以上就是傳承電子對(duì)igbt模塊的靜態(tài)工作特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。