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20世紀80年代可關斷晶閘管模塊GTO的商品化推動了交流調速技術的發展，與SCR對比其屬于自關斷元件，因為取消了強迫換流線路，優化了在交流電力機車中大量選用的逆變器線路，近年來GTO的容量為6000A/6000V，在電力機車調速中大多選用（3000～4000）A/4500V，中壓變頻器功率范圍多在（300～3500）kW以內，屬于較小的功率范圍。GTO開關頻率較低，需要結構復雜的緩沖線路和門極觸發線路，用門極負電流脈沖關斷GTO，其值接近其陽極電流量的1/3，如關斷3000A/4000V的GTO，需750A的門極負脈沖電流，其門極觸發線路要數個MOSFET并接的低電感線路，而相同的高壓igbt模塊僅需5A的導通和斷開電流。

GTO的工作頻率小于500Hz，以1500A/4500V的GTO為例，其開通時間為10μs，斷開時間約需20μs。

硬驅動GTO(IGCT)是斷開增益為1的GTO，GTO制作技術上是由數個小的GTO單元并接而成的，為解決斷開GTO時非均勻斷開和陰極電流收縮效用，減短斷開時間，利用增加負門極電流上升率，在1μs內使負門極電流提升到陽極電流的幅度值而使GTO的門極－陰極快速恢復阻斷。

將GTO外配MOSFET構成的門極驅動器組成IGCT，達到了場控晶閘管模塊的作用，IGCT用的過程中要求開通和斷開過程盡量短，現階段IGCT的最高水平為4000A/6000V，IGCT斷開過程中仍要di/dt緩沖器避免過壓，IGCT以GTO為基礎，其工作頻率應在1kHz之下。
圖112脈波二極管整流輸入選用高壓igbt模塊的三電平MV設備
圖2MV輸出電壓和輸出電流波形(典型的基波電流系數gi=99％)

隨之關斷水平和載流水平的提升 ，高壓igbt模塊以其自保護作用強，不用吸收線路而有著廣闊的應用前景。

傳承公司從2013年逐漸研發和使用低壓igbt模塊，在高壓igbt模塊的研發上也位于領先地位，以現階段用作MV系列產品的1200A/3300Vigbt模塊為例，其柵極發射極電壓僅為15V，觸發功率低，斷開損耗小，di/dt、dv/dt都取得了有效控制，現階段高壓igbt模塊的研發水平為(600～1200)A/6500V，其工作頻率為（18～20）kHz。

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以上就是傳承電子中壓igbt模塊變頻器用電力電子器件的比較的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。