igbt模塊的動態特性

2021-04-19

igbt模塊在導通環節中，大多數時長作為MOSFET來運作的，只是在漏源工作電壓Uds下降環節后期，PNP晶體管由放大區至飽和，又增添了一段延遲時間。td(on)為導通延遲時間，tri為電流量上升時間。具體用中常供應的漏極電流量導通時間ton就是td(on)tri之和。漏源工作電壓的下降時間由tfe1和tfe2構成。

igbt模塊的觸發和斷開標準給其柵極和基極間添加正向工作電壓和負向工作電壓，柵極工作電壓可由不同的驅動電路形成。當選用這類驅動電路時，務必依托于下列的參數來實現：元件斷開偏置的標準、柵極電荷的標準、耐固性標準和電源的情況。由于igbt模塊柵極-發射極阻抗大，故可用MOSFET驅動技術實現觸發，不過由于igbt模塊的輸入電容較MOSFET為大，故igbt模塊的斷開偏壓應當比許多MOSFET驅動電路供應的偏壓更高。

igbt模塊在斷開環節中，漏極電流量的波形變為兩段。由于MOSFET關斷后，PNP晶體管的存儲電荷很難快速消除，導致漏極電流量較長的尾部時間，td(off)為斷開延遲時間，trv為工作電壓Uds(f)的上升時間。具體用中常常供應的漏極電流量的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段構成，而漏極電流量的斷開時間

t(off)=td(off)+trv十t(f)

式中，td(off)與trv之和又稱之為存儲時間。

igbt模塊的開關速度低于MOSFET，但很明顯高過GTR。igbt模塊在斷開時不用負柵壓來縮減斷開時長，但斷開時長隨柵極和發射極并聯電阻的增加而增加。igbt模塊的開啟工作電壓約3～4V，和MOSFET相當。igbt模塊導通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR相近，飽和壓降隨柵極工作電壓的增加而降低。

以上就是傳承電子igbt模塊的動態特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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