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igbt模塊絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)構(gòu)成的復(fù)合全控型工作電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體元器件，兼具M(jìn)OSFET的高輸入電阻和GTR的低導(dǎo)通壓降兩層面的優(yōu)勢。GTR飽和壓下降，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流過大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率較小，控制開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt模塊結(jié)合了上述2種元件的優(yōu)勢，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓下降。特別適合用于直流電壓為600V及上述的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明線路、牽引傳動(dòng)等方面。

igbt模塊的辨別測試：

辨別極性：

先將數(shù)字萬用表撥在RTImes;1KΩ擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其余兩極電阻值為無窮大，對換表筆后該極與其余兩極的電阻值仍為無窮大，則辨別此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測量，若測出電阻值為無窮大，對換表筆后測量電阻值較小。在測量電阻值較小的一次中，則辨別紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。

辨別好壞：

將數(shù)字萬用表撥在RTImes;10KΩ擋，用黑表筆接igbt模塊的集電極(C)，紅表筆接igbt模塊的發(fā)射極(E)，這時(shí)候數(shù)字萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)碰觸一下柵極(G)和集電極(C)，這時(shí)候igbt模塊被觸發(fā)導(dǎo)通，數(shù)字萬用表的指針擺向電阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。隨后再用手指同時(shí)碰觸一下柵極(G)和發(fā)射極(E)，這時(shí)候igbt模塊被阻斷，數(shù)字萬用表的指針回零。這時(shí)候就能辨別igbt模塊是好的。

測試注意事項(xiàng)：

任何指針式數(shù)字萬用表皆可用來測試igbt模塊。考慮辨別igbt模塊好壞時(shí)，一定要將萬用　表撥在RTImes;10KΩ擋，因RTImes;1KΩ擋之下各檔數(shù)字萬用表內(nèi)部電池電壓太低，測試好壞時(shí)不可以使igbt模塊導(dǎo)通，而無法辨別igbt模塊的好壞。此方法同樣可以用來測試功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。

以上就是傳承電子igbt模塊辨別測試的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。