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在UPS中采用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅模塊和igbt模塊，igbt模塊不僅有功率MOSFET便于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)易、開關(guān)頻率高的優(yōu)勢(shì)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)勢(shì)、采用igbt模塊變成UPS功率設(shè)計(jì)方案的優(yōu)選，唯有對(duì)igbt模塊的特點(diǎn)充分的掌握和對(duì)線路開始可靠性設(shè)計(jì)，方能發(fā)揮igbt模塊的優(yōu)勢(shì)。

UPS在用過程中，常常遭受容性或感性負(fù)載的沖擊、過負(fù)荷甚至于負(fù)載短路等，和UPS的誤操作，將會(huì)導(dǎo)致igbt模塊受損。igbt模塊在用時(shí)的受損因素主要有以下幾種情況：

1、過電流受損。

igbt模塊有一定抗過電流功能，但需要小心避免過電流受損。igbt模塊復(fù)合器件內(nèi)有個(gè)寄生晶閘管，因此有擎住效應(yīng)。圖5為1個(gè)igbt模塊的等效電路，在要求的漏極電流區(qū)域內(nèi)，NPN的正偏壓不可以使NPN晶體管導(dǎo)通，當(dāng)漏極電流大到一定程度時(shí)，這一正偏壓足夠使NPN晶體管開通，從而使NPN和PNP晶體管處在飽和狀態(tài)，因此寄生晶閘管開通，門極失去操控功能，便發(fā)生了擎住效應(yīng)。igbt模塊發(fā)生擎住效應(yīng)后，漏極電流過大導(dǎo)致了過高的功耗，最后導(dǎo)致器件的受損。

2、過電壓損壞。

igbt模塊在斷開時(shí)，因?yàn)槟孀冸娐分写嬗须姼谐煞?，斷開瞬間出現(xiàn)尖峰電壓，倘若尖峰電壓過壓則很有可能導(dǎo)致igbt模塊擊穿毀壞。

3、橋臂共導(dǎo)損壞。

4、過熱損壞和靜電損壞。

igbt模塊兼具有功率MOSFET和GTR的優(yōu)勢(shì)，是UPS中的充電、旁路開關(guān)、逆變器，整流器等功率變換的理想元件。只要正確運(yùn)用igbt模塊，并采取有效的防護(hù)方案，才會(huì)提高igbt模塊在UPS中的可靠性。

以上就是傳承電子對(duì)不間斷電源igbt模塊受損的因素的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。