igbt模塊各中原因受損解決方法介紹

2021-05-13

1、過電壓毀壞

預(yù)防過電壓毀壞方式有：優(yōu)化主線路的工藝構(gòu)造，經(jīng)過減小大電流回路的路徑來減少線路內(nèi)寄生電感；適度提高igbt模塊驅(qū)動電阻Rg使開關(guān)速度減慢（但開關(guān)損耗也提高了）；設(shè)計緩沖線路，對尖峰電壓實(shí)現(xiàn)抑制。用作緩沖線路中的二極管必需是快恢復(fù)的二極管，電容器必需是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。

如此才可以獲得好的吸收作用。常見線路有耗能式和回饋式緩沖線路。回饋式又有無源式和有源式2種，詳細(xì)電路設(shè)計可參照所選用元件的技術(shù)手冊。
2、橋臂共導(dǎo)毀壞

在UPS中，逆變橋同臂支路2個驅(qū)動必需是互鎖的，并且應(yīng)當(dāng)設(shè)定死區(qū)時間（即一起不導(dǎo)通時間）。

倘若出現(xiàn)共導(dǎo)，igbt模塊會迅速毀壞。在控制電路應(yīng)當(dāng)充分考慮多種運(yùn)行情況下的驅(qū)動問題控制時序問題。

3、過熱毀壞

可經(jīng)過降額使用，增加散熱器，涂敷導(dǎo)熱膠，強(qiáng)行風(fēng)扇制冷，設(shè)定過溫度保護(hù)等方式來處理過熱毀壞的問題。

除此之外還需留意組裝過程中的靜電毀壞問題，操作人員、工具必需實(shí)現(xiàn)防靜電防護(hù)。

以上就是傳承電子對igbt模塊各中原因受損解決方法介紹的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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