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按照脈沖滲碳電源需，文中設(shè)計(jì)了1種有著可靠性高、信號(hào)傳遞無(wú)延緩、驅(qū)動(dòng)水平強(qiáng)等特性的igbt模塊強(qiáng)驅(qū)動(dòng)線路，深入分析了原理，并對(duì)線路檢測(cè)中造成的電流尖峰建立了抑止。在這個(gè)基礎(chǔ)上獲得幾個(gè)關(guān)鍵影響驅(qū)動(dòng)線路的原因。實(shí)際用作大功率igbt模塊橋線路驅(qū)動(dòng)，運(yùn)行穩(wěn)定可靠。結(jié)果顯示，所設(shè)計(jì)的線路構(gòu)造簡(jiǎn)易，驅(qū)動(dòng)水平強(qiáng)，可靠性高，且對(duì)用變壓器驅(qū)動(dòng)大功率全橋線路有通用性。

在脈沖電源中，驅(qū)動(dòng)線路的優(yōu)劣直接影響到逆變器是否正常的運(yùn)行。好的驅(qū)動(dòng)線路第一步要確保開(kāi)關(guān)管確保，第二還需使開(kāi)關(guān)管有著較小的耗損。

這二者之間還是矛盾的。因?yàn)橛晒β书_(kāi)關(guān)元件引發(fā)的耗損主要是開(kāi)關(guān)損耗(導(dǎo)通耗損和關(guān)斷耗損)。

開(kāi)關(guān)損耗與驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)的上升沿陡度和下降沿陡度有挺大影響。下降沿和上升沿越陡，相對(duì)的開(kāi)關(guān)損耗就越小，即電壓和電流重迭的時(shí)長(zhǎng)越短。

但較陡的上升沿和下降沿又會(huì)造成過(guò)大沖擊電流和電壓尖峰，影響開(kāi)關(guān)管的安全工作。所以要建立電源安全且高效率的運(yùn)行，就需要抑止或吸收這類(lèi)電流和電壓尖峰。

這兒得出了1種變壓器驅(qū)動(dòng)的大功率IGBT模塊線路，它既有著很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)水平，又能非常好地吸收電壓和電流尖峰。

干擾開(kāi)關(guān)管安全的驅(qū)動(dòng)脈沖過(guò)沖尖峰主要是由勵(lì)磁電感影響的，為此盡量降低勵(lì)磁電感是降低過(guò)沖尖峰的最簡(jiǎn)單辦法，另外還與穩(wěn)壓管的性能有較大關(guān)系。脈沖前沿上升率主要由加速電容影響，電容過(guò)小，會(huì)發(fā)生驅(qū)動(dòng)脈沖前沿過(guò)緩，過(guò)大會(huì)有尖峰，因此要用適宜的加速電容。電的大小一般通過(guò)數(shù)次實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。這一電容大小的選擇既要考量使脈沖上升沿較陡，又不發(fā)生尖峰。

此驅(qū)動(dòng)線路已在中頻脈沖滲碳電源中使用，搭配元器件過(guò)流過(guò)壓保護(hù)線路，能比較好地達(dá)到200A／1200VIGBT模塊的驅(qū)動(dòng)需求。另外對(duì)驅(qū)動(dòng)大功率的MOSFET等場(chǎng)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管都是不錯(cuò)的參考作用。

以上就是傳承電子對(duì)igbt模塊驅(qū)動(dòng)線路的電流尖峰抑止方案的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。