可控硅模塊基本知識

2021-04-27

一、可控硅模塊的定義和構造晶閘管又叫可控硅模塊。從20世紀50年代面世之后現已發展成為1個大的家族，它的核心人員有單向可控硅、雙向晶閘管、光控可控硅、逆導可控硅、可關斷可控硅、快速可控硅，等。現在大伙兒選用的是單向可控硅，也就是大眾常說的普通可控硅，它是由四層半導體材料構成的，有3個PN結，對外有3個電極引腳〔圖2(a)〕：一層P型半導體引出的電極引腳叫陽極A，三層P型半導體引出的電極引腳叫控制極G，四層N型半導體引出的電極引腳叫陰極K。從可控硅的電路符號〔圖2(b)〕能夠 看出，它和二極管同樣是1種單方向導電的元件，關鍵是多出一個控制極G，這就使它有著與二極管完全不同的運行特征。 圖2二、...

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igbt模塊的M57959L/M57962L厚膜驅動線路

2021-04-26

M57959L/M57962L厚膜驅動線路選用雙電源（+15V，-10V）配電，輸出負偏壓為-10V，I/O電平與TTL電平兼容，備有短路/過載保護和封閉型短路保護作用，此外兼具延遲保障特性。其各自適用于驅動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A和之下的IGBT.M57959L/M57962L在驅動中小功率的IGBT時，驅動實際效果和各類性能呈現良好，但當其運作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信號的最大傳送寬度受限制。且厚膜內部選用印刷線路板設計，排熱并不是很好，很容易因過熱導致內部元件的燒壞。 M57959L集成IGBT專用的驅動芯片它可以作為600V/200A或者1...

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如何分辨可控硅模塊的3個極

2021-04-25

可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導體組成的元器件，有3個電極，陽極A，陰極K和操控極G。 可控硅在線路中可以完成交流電的無觸點開關操控，以小電流操控大電流，且不象繼電器那般操控時有火花形成，并且運作快、使用期長、穩定性好。在調速、調光、調壓、調溫和其余各類控制回路中都有它的身影。可控硅分成單向的和雙向的，符號也不一。單向可控硅模塊有3個PN結，由最外層的P極和N極引出2個電極，各自稱作陽極和陰極，由中間的P極引出1個操控極。單向可控硅模塊有其獨特的特點：當陽極接反方向電壓，或陽極接正方向電壓但操控極不加電壓時，它不導通，而陽極和操控極一起接正方向電壓時，它便會變為導通模式。一旦導通，操控電壓便...

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igbt模塊驅動線路EXB841/840

2021-04-25

EXB841工作原理如圖1，當EXB841的14腳和15腳有10mA的電流量經過1us之后igbt模塊正常導通，VCE下降至3V左右，6腳電壓被鉗制在8V左右，因為VS1穩壓值是13V，因此不會被擊穿，V3不導通，E點的電位約為20V，二極管VD截止，不干擾V4和V5正常運行。 當14腳和15腳無電流量經過，則V1和V2導通，V2的導通使V4截止、V5導通，igbt模塊柵極電荷經過V5快速放電，引腳3電位下降至0V，是igbt模塊柵一射間承載5V左右的負偏壓，igbt模塊平穩斷開，且VCE的快速上升使引腳6“懸空”。C2的放電可使B點電位為0V，則VS1依然不導通，之后線路不動作，igbt模塊正常斷開。若有過...

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可控硅模塊的結構和特性

2021-04-25

可控硅模塊從外型上分常見有螺旋式、平板式和平底式3種（見圖表-25）。螺旋式的運用較多。 可控硅模塊有3個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導體和N型導體交迭構成的四層構造，總共3個PN 結。其結構示意圖和符號見圖表-26。從圖表-26中能夠看出，可控硅模塊和只有一個PN 結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅模塊的四層構造和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在運用可控硅模塊時，只要在控制極添加很小的電流量或電壓，就能控制很大的陽極電流量或電壓。目前已能制造出電流量容量達幾百安培以及上千安培的可控硅模塊元件。通常把5安培之下的可控硅模塊叫小功率可控硅...

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