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綜述
二極管是電子元器件中1種具有2個電極的設備，只準許電流量由單一方向經過，很多的使用是利用其整流的功能。大多數二極管所具有的電流量方向性我們一般 稱作“整流（Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能便是只準許電流量由單一方向通過（稱作順向偏壓），逆向時阻斷（稱作逆向偏壓）。所以，二極管能夠想成電子版的逆止閥。
亮點
二極管的功能：
二極管是最普遍的電子元器件之一，它最大的特征便是單方向導電，也就是電流量只能夠從二極管的一種方向經過，二極管的功能有整流線路，檢波線路，穩壓電路，各類調制線路，主要全是由二極管來組成的。
單二術管模塊的性能參數
用作表示二術管模塊的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二術管模塊的參數。不一樣類型的二術管模塊有不一樣的性能參數。
1、最大整流電流
指的是二術管模塊長期持續運行時容許經過的最大正向電流值，其值與PN結面積及外部排熱情況等相關聯。由于電流經過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超出容許限度（硅管為141之間，鍺管為90之間）時，便會使管芯過熱而毀壞。因此在要求排熱情況下，二術管模塊運行中不要超出二術管模塊最大整流電流值。比如，較常用的IN4O01-4007型鍺二術管模塊的額定正向運行電流為1A。
2、最高反向工作電壓
加在二術管模塊兩邊的反向工作電壓高到一定值時，會將管子擊穿，喪失單向導電能力。為了能保障運行安全，要求了最高反向工作電壓值。比如，IN4O01二術管模塊反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。
3、反向電流
指的是二術管模塊在要求的溫度和最高反向工作電壓作用下，經過二術管模塊的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。特別注意的是反向電流與溫度具有緊密的關聯，大概溫度每上升10℃，反向電流增加1倍。比如2AP1型鍺二術管模塊，在25℃時反向電流若為250uA，溫度上升到35℃，反向電流將上升到500uA，以此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不但失去了單方向導電性能，還使管子過熱而毀壞。又如，2CP10型硅二術管模塊，25℃時反向電流僅為5uA，溫度上升到75℃時，反向電流也只不過160uA。故硅二術管模塊比鍺二術管模塊在高溫下具有較好的穩定性。
4、動態電阻Rd
二極管特性曲線靜態工作點Q附近工作電壓的變化與相應電流的變化量之比。
二極管是最普遍的電子元器件之一，它最大的特征便是單方向導電，也就是電流量只能夠從二極管的一種方向經過，二極管的功能有整流線路，檢波線路，穩壓電路，各類調制線路，主要全是由二極管來組成的。
單二術管模塊的性能參數
用作表示二術管模塊的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二術管模塊的參數。不一樣類型的二術管模塊有不一樣的性能參數。
1、最大整流電流
指的是二術管模塊長期持續運行時容許經過的最大正向電流值，其值與PN結面積及外部排熱情況等相關聯。由于電流經過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超出容許限度（硅管為141之間，鍺管為90之間）時，便會使管芯過熱而毀壞。因此在要求排熱情況下，二術管模塊運行中不要超出二術管模塊最大整流電流值。比如，較常用的IN4O01-4007型鍺二術管模塊的額定正向運行電流為1A。
2、最高反向工作電壓
加在二術管模塊兩邊的反向工作電壓高到一定值時，會將管子擊穿，喪失單向導電能力。為了能保障運行安全，要求了最高反向工作電壓值。比如，IN4O01二術管模塊反向耐壓為50V,IN4007反向耐壓為1000V。
3、反向電流
指的是二術管模塊在要求的溫度和最高反向工作電壓作用下，經過二術管模塊的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。特別注意的是反向電流與溫度具有緊密的關聯，大概溫度每上升10℃，反向電流增加1倍。比如2AP1型鍺二術管模塊，在25℃時反向電流若為250uA，溫度上升到35℃，反向電流將上升到500uA，以此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不但失去了單方向導電性能，還使管子過熱而毀壞。又如，2CP10型硅二術管模塊，25℃時反向電流僅為5uA，溫度上升到75℃時，反向電流也只不過160uA。故硅二術管模塊比鍺二術管模塊在高溫下具有較好的穩定性。
4、動態電阻Rd
二極管特性曲線靜態工作點Q附近工作電壓的變化與相應電流的變化量之比。
詳情
二極管模塊工作原理
晶體二極管為一種由p型半導體和n型半導體組成的pn結，在其界面處兩邊組成空間電荷層，并建有自建電場。當沒有另加電壓時，因為pn結兩邊載流子濃度差造成的擴散電流量和自建電場造成的漂移電流量相等而處在電平衡狀態。
當外部有正向電壓偏置時，外部電場和自建電場的互相抑消功能使載流子的擴散電流量增加造成了正向電流量。當外部有逆向電壓偏置時，外部電場和自建電場進一步加強，組成在相應逆向電壓范圍內與逆向偏置電壓值無關的逆向飽和電流I0。
當另加的逆向電壓高到相應程度時，pn結空間電荷層中的電場強度超過臨界值形成載流子的倍增環節，形成大量電子空穴對，形成了數值很大的逆向擊穿電流量，稱作二極管的擊穿現象。pn結的逆向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
上述所言是二極管模塊廠家傳承電子對單二極管模塊的介紹，傳承電子是1家以電力電子工藝為專業領域的功率半導體功率模塊供應商，為各的企業公司供應半導體功率模塊的制定、生產加工和生產，此外也為各企業供應來料代加工或貼牌加工項目。主營商品有：igbt模塊、晶閘管(可控硅)模塊、超快恢復外延二極模塊、單相整流橋模塊、三相整流橋模塊、整流二極管模塊、肖特基二極管元器件功率模塊等功率半導體電子元器件。
晶體二極管為一種由p型半導體和n型半導體組成的pn結，在其界面處兩邊組成空間電荷層，并建有自建電場。當沒有另加電壓時，因為pn結兩邊載流子濃度差造成的擴散電流量和自建電場造成的漂移電流量相等而處在電平衡狀態。
當外部有正向電壓偏置時，外部電場和自建電場的互相抑消功能使載流子的擴散電流量增加造成了正向電流量。當外部有逆向電壓偏置時，外部電場和自建電場進一步加強，組成在相應逆向電壓范圍內與逆向偏置電壓值無關的逆向飽和電流I0。
當另加的逆向電壓高到相應程度時，pn結空間電荷層中的電場強度超過臨界值形成載流子的倍增環節，形成大量電子空穴對，形成了數值很大的逆向擊穿電流量，稱作二極管的擊穿現象。pn結的逆向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
上述所言是二極管模塊廠家傳承電子對單二極管模塊的介紹，傳承電子是1家以電力電子工藝為專業領域的功率半導體功率模塊供應商，為各的企業公司供應半導體功率模塊的制定、生產加工和生產，此外也為各企業供應來料代加工或貼牌加工項目。主營商品有：igbt模塊、晶閘管(可控硅)模塊、超快恢復外延二極模塊、單相整流橋模塊、三相整流橋模塊、整流二極管模塊、肖特基二極管元器件功率模塊等功率半導體電子元器件。
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