雙向可控硅模塊的導通條件

2021-06-11

1.可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端構造元件,一共有3個PN結,解析原理時,可以把它當作由1個PNP管和1個NPN管所組成。

當陽極A添加順向電壓時,BG1和BG2管均處在放大模式。這時,要是從控制極G輸入1個順向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極連在一起,因此ib1=ic2。

這時,電流ic2再經BG1放大,故此BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這一電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不停增加,這般順向饋循環的結果,2個管子的電流激增,可控硅模塊使飽和導通。

因為BG1和BG2所組成的正反饋作用,所以一旦可控硅模塊導通后,就算控制極G的電流消失了,可控硅模塊依舊可以維持導通模式,因為觸發信號只起觸發功效,沒有斷開功能,所以這類可控硅模塊是不可斷開的。

因為可控硅模塊唯有導通和斷開2種運行狀態,所以它具備開關特性,這類特性需要對應的情況才能轉化

2,觸發導通

在控制極G上加入順向電壓時(見圖5)因J3正偏,P2區的空穴時入N2區,N2區的電子進到P2區,形成觸發電流IGT。在可控硅模塊的內部正反饋作用(見圖2)的基礎上,添加IGT的功效,使可控硅模塊提前導通,造成圖3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

以上就是傳承電子對雙向可控硅模塊的導通條件的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

關注微信公眾號,了解更多資訊