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IGBT模塊市場的未來發展潛力無窮
2021-06-15
實際上,被稱作電力電子行業的“CPU”的igbt模塊的確市場前景廣闊。
統計資料顯示,2017年世界igbt模塊市場規模為52.55億美元,同期相比2016年增漲16.5%,2018年世界igbt模塊市場規模在62.1億美元左右。而我國igbt模塊市場是全球最大的igbt模塊市場,2018年我國igbt模塊市場規模達161.9億元,同比增長22.2%。
igbt模塊具備這樣大規模的市場空間與其獨特的優勢息息相關。igbt模塊即絕緣柵雙極型晶體管,它具備導通電阻小、開關速度快、工作頻率高等特點,能夠在各類線路中提升功率轉變、傳送和操控的效率,完成節約能源、提升工業控制水平的目地,為電力電子層面較為理想的開關元器件。也正是依托于上述優勢,它的運用十分普遍,小到家電,大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業,都會使用igbt模塊。
值得一提的是,igbt模塊在新能源汽車中的地位也十分顯著。它是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心元器件,成本占到新能源汽車整車成本的10%,占充電樁成本的20%。它能直接操控驅動系統直、交流電的轉變,決定電動車扭矩和最大輸出功率等核心指標,可以說“牽一發而動全身”。
傳統式動力構成的車,車里的半導體價值平均大約是350美金,功率半導體占了20%左右,也就是70美金。而隨之電氣化的發展壯大,以純電動車為例,里面半導體的價值提升了1倍,便是700美金,而當中接近一半全是功率半導體。相當于說汽車在電氣化的過程中,增量的半導體市場絕大部分都在功率半導體層面,這也是為什么車用功率半導體是一個關鍵的話題。而igbt模塊便是運用最普遍的功率半導體之一。
視線回到整個igbt模塊市場。igbt模塊的下游使用——新能源車、光伏、風電等,在這類行業中我國的主導權高過以往的傳統燃油車行業和工控行業,所以在igbt模塊的增量空間中有一半之上需求都在中國。以后幾年,我國的igbt模塊市場的需求占比將從2019年不夠35%提高到2025年的50%或之上,為我國的igbt模塊廠家提高份額和競爭能力創造了優良的條件,國產igbt模塊廠家市場份額和業務量的提高潛力非常大。
以上就是傳承電子對IGBT模塊市場的未來發展潛力的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
統計資料顯示,2017年世界igbt模塊市場規模為52.55億美元,同期相比2016年增漲16.5%,2018年世界igbt模塊市場規模在62.1億美元左右。而我國igbt模塊市場是全球最大的igbt模塊市場,2018年我國igbt模塊市場規模達161.9億元,同比增長22.2%。
igbt模塊具備這樣大規模的市場空間與其獨特的優勢息息相關。igbt模塊即絕緣柵雙極型晶體管,它具備導通電阻小、開關速度快、工作頻率高等特點,能夠在各類線路中提升功率轉變、傳送和操控的效率,完成節約能源、提升工業控制水平的目地,為電力電子層面較為理想的開關元器件。也正是依托于上述優勢,它的運用十分普遍,小到家電,大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業,都會使用igbt模塊。
值得一提的是,igbt模塊在新能源汽車中的地位也十分顯著。它是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心元器件,成本占到新能源汽車整車成本的10%,占充電樁成本的20%。它能直接操控驅動系統直、交流電的轉變,決定電動車扭矩和最大輸出功率等核心指標,可以說“牽一發而動全身”。
傳統式動力構成的車,車里的半導體價值平均大約是350美金,功率半導體占了20%左右,也就是70美金。而隨之電氣化的發展壯大,以純電動車為例,里面半導體的價值提升了1倍,便是700美金,而當中接近一半全是功率半導體。相當于說汽車在電氣化的過程中,增量的半導體市場絕大部分都在功率半導體層面,這也是為什么車用功率半導體是一個關鍵的話題。而igbt模塊便是運用最普遍的功率半導體之一。
視線回到整個igbt模塊市場。igbt模塊的下游使用——新能源車、光伏、風電等,在這類行業中我國的主導權高過以往的傳統燃油車行業和工控行業,所以在igbt模塊的增量空間中有一半之上需求都在中國。以后幾年,我國的igbt模塊市場的需求占比將從2019年不夠35%提高到2025年的50%或之上,為我國的igbt模塊廠家提高份額和競爭能力創造了優良的條件,國產igbt模塊廠家市場份額和業務量的提高潛力非常大。
以上就是傳承電子對IGBT模塊市場的未來發展潛力的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
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