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1種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端元器件，研發(fā)于1957年，因?yàn)樗阅茴?lèi)似真空閘流管，因此 國(guó)際上統(tǒng)稱(chēng)為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱(chēng)為晶閘管T。又因?yàn)榫чl管起初使用于可控整流層面因此 又稱(chēng)之為硅可控整流元器件，簡(jiǎn)稱(chēng)為為可控硅模塊SCR。

在性能上，可控硅模塊不但具備單向?qū)щ娦裕疫€具備比硅整流元器件（別名“死硅”）更加珍貴的可控性。它唯有導(dǎo)通和斷開(kāi)2種模式。

可控硅模塊能以毫安級(jí)電流操控大功率的機(jī)械設(shè)備，倘若超出此頻率，因元器件開(kāi)關(guān)損耗明顯增多，準(zhǔn)許經(jīng)過(guò)的平均電流相減少，這時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)不少，比如：以小功率操控大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；響應(yīng)訊速，在微秒級(jí)內(nèi)導(dǎo)通、斷開(kāi)；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)作，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本費(fèi)用低等。

可控硅模塊的缺陷：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載性能較弱；易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅模塊從外型上歸類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模塊元器件的構(gòu)造

無(wú)論可控硅模塊的外型怎樣，它的管芯都是由P型硅和N型硅構(gòu)成的四層P1N1P2N2構(gòu)造。見(jiàn)圖1。它有3個(gè)PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1構(gòu)造的P1層引出陽(yáng)極A，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出操控極G，因此 它是1種四層三端的半導(dǎo)體器件。
圖1、可控硅模塊結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖

以上就是傳承電子對(duì)可控硅模塊元器件的構(gòu)造   的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。