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測試igbt模塊的簡易方式
2021-06-17
l、辨別極性第一步將數(shù)字萬用表撥在R×1KQ檔,用萬用表測量時,若某個極與其他兩極阻值為無窮,調(diào)換電筆后該極與其他兩極的阻值仍為無窮,則辨別此極為柵極(G)。其他兩極再用萬用表測量,若測出阻值為無窮,調(diào)換電筆后測定阻值較小。在測定阻值較小的1次中,則辨別紅電筆接的為集電極(C):黑電筆接的為發(fā)射極(E)。
2、辨別優(yōu)劣將數(shù)字萬用表撥在R×10KQ檔,用黑電筆接 igbt模塊 的集電極(C),紅電筆接igbt模塊的發(fā)時極(E),此時數(shù)字萬用表的表針在零位。用手指一起碰觸一下柵極(G)和集電極(C),此時工GBT被觸發(fā)導通,數(shù)字萬用表的表針擺向阻值較小的方向,并能站們指示在某個位置。之后再用手指一起碰觸一下柵極(G)和發(fā)射極(E),此時igbt模塊被阻斷,數(shù)字萬用表的表針回零。此時就可以辨別igbt模塊是好的。
3、注意事項任何指針式數(shù)字萬用表鈴可用于檢測igbt模塊。注意辨別igbt模塊優(yōu)劣時,一定要將數(shù)字萬用表撥在R×IOK擋,因R×IKQ檔以下各檔數(shù)字萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測優(yōu)劣時不能使igbt模塊導通,而無法辨別igbt模塊的優(yōu)劣。此方式 同樣也能用護檢測功率場效應晶體管 (P一 MOSFET )的優(yōu)劣。
4.igbt模塊管的好壞可以用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測定PN結(jié)正方向壓降實現(xiàn)辨別。
檢測前先將igbt模塊管3只引腳短路放電,防止影響檢測的準確度;之后用指針萬用表的兩枝電筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻,針對正常的igbt模塊管(正常G、C兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮;內(nèi)含阻尼二極管的igbt模塊管正常時,e、C極間均有4kΩ正方向電阻),上述所測值均為無窮;最后用指針萬用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測值在3.5kΩl左右,則所測管為含阻尼二極管的igbt模塊管,若所測值在50kΩ左右,則所測igbt模塊管內(nèi)不含阻尼二極管。針對數(shù)字萬用表,正常情況下,igbt模塊管的C、C極間正方向壓降約為0.5V。
以上就是傳承電子對測試igbt模塊的簡易方式 的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
2、辨別優(yōu)劣將數(shù)字萬用表撥在R×10KQ檔,用黑電筆接 igbt模塊 的集電極(C),紅電筆接igbt模塊的發(fā)時極(E),此時數(shù)字萬用表的表針在零位。用手指一起碰觸一下柵極(G)和集電極(C),此時工GBT被觸發(fā)導通,數(shù)字萬用表的表針擺向阻值較小的方向,并能站們指示在某個位置。之后再用手指一起碰觸一下柵極(G)和發(fā)射極(E),此時igbt模塊被阻斷,數(shù)字萬用表的表針回零。此時就可以辨別igbt模塊是好的。

4.igbt模塊管的好壞可以用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測定PN結(jié)正方向壓降實現(xiàn)辨別。
檢測前先將igbt模塊管3只引腳短路放電,防止影響檢測的準確度;之后用指針萬用表的兩枝電筆正反測G、e兩極及G、c兩極的電阻,針對正常的igbt模塊管(正常G、C兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮;內(nèi)含阻尼二極管的igbt模塊管正常時,e、C極間均有4kΩ正方向電阻),上述所測值均為無窮;最后用指針萬用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測值在3.5kΩl左右,則所測管為含阻尼二極管的igbt模塊管,若所測值在50kΩ左右,則所測igbt模塊管內(nèi)不含阻尼二極管。針對數(shù)字萬用表,正常情況下,igbt模塊管的C、C極間正方向壓降約為0.5V。
以上就是傳承電子對測試igbt模塊的簡易方式 的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商,為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工,同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。
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