可控硅兩邊并接阻容網絡的功能

2022-03-03

我們知道，可控硅模塊有個重要性能參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表示模塊在額定結溫和門極開路情形下，使其從斷態轉為通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超出了它的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情形下開啟。即便這時加于可控硅模塊的正方向電壓小于其陽極峰值電壓，也可以產生這一情形。因為可控硅模塊能夠看成是由3個PN結構成。在可控硅模塊線路中，在其兩邊并接RC串連網絡，該網絡常稱作RC阻容吸收線路。在可控硅模塊處在阻斷情況下，因各層相距非常近，其J2結結面等同于一個電容C0。當可控硅模塊陽極電壓變動時，便會出現充電電流流到電容C0，并借助J3結，這一電流起了門極觸發電流功效。假如可控硅模塊...

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igbt模塊元件保護的幾個方式和優缺點

2022-03-02

在傳動裝置系統中，進、出線主回路通常都設有霍爾ct，用在檢測主回路電流，并利用主控板的硬件和軟件來處置、辨別過流情況。倘若出現重故障跳閘信息，便要迅速封鎖脈沖，保護igbt模塊元器件。其優勢是對負載導致的過流保護作用比較明顯，但缺陷是過流檢出到脈沖封鎖的過程時間太長，要幾個毫秒，并且直流回路的短路也保護不了（實際系統中沒有直流回路電流檢測ct）。所以，僅靠該保護方式顯然沒法滿足igbt模塊保護的實際要求。因此，還需要采用其它的快速檢測辦法。現階段較常用的辦法有下列幾類：1、IGBTvce電壓監測法這是比較常見的辦法。借助集電極電流ic上升時vge或vce也會上升的1種現象，當vge或vce超出設置允許值時...

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什么是可控硅模塊以及分類？

2022-03-01

可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關型半導體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。可控硅模塊具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅模塊有很多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類可控硅模塊按其關斷、導通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導可控硅模塊、門極關斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性...

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雙向可控硅模塊的檢測

2022-02-28

判定T2控制極G與T1極間的距離較近，其正反向電阻值均較小。將數字萬用表放置于R×1Ω檔，用紅、黑兩電筆各自測任意兩引腳間正反向電阻值，結果當中兩組讀值為無窮大，唯有1組的讀值為數十贅，則此組紅、黑表所接的兩引腳為主端子T1和控制極G，另一空腳即為主端子T2。判定T1、G觸發功能的檢測將黑電筆接已判定的第2陽極T2，紅電筆接第1陽極T1，這時數字萬用表指針不應該出現偏轉，電阻值為無窮大。再用短接線將T2、G極瞬間短接，給G極添加正向觸發電壓，T1、T2間電阻值約10Ω左右。之后判定T2極后，再仔細測量T1、G極間正、反方向電阻值，讀值對比較小的那一次測量的黑電筆所接的引腳為第...

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脈沖變壓器怎樣組成igbt功率模塊驅動？

2022-02-25

下圖是由脈沖變壓器TB組成的igbt模塊柵極驅動線路。在線路的隔離元器件中，脈沖變壓器與光電耦合器各有特色。脈沖變壓器可以傳輸功率比較大的能量，由它用作隔離元器件時，其副邊繞組可直接對igbt模塊的柵極進行驅動。但脈沖變壓器對信息的傳輸是雙向的，igbt模塊上的干擾信號可對前級造成影響。光電藕合器對信息的傳輸是單向的，應用光藕有助于隔離后級對前級的影響。但應用光電耦合器實現隔離時，要為igbt模塊的柵極驅動線路供應獨立的供電電源。 如圖所示線路中，當輸入信息Ui為高電平時，驅動三極管T1導通，其脈沖電流經脈沖變壓器TB為igbt模塊的柵極供應正方向驅動電流，使igbt模塊導通；當輸入信息認為低電平時，驅動二極管T2導...

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