IGBT模塊的組裝

2022-03-10

IGBT模塊組裝首要要組裝模塊散熱器，之后再將模塊組裝到散熱器上。igbt模塊的散熱器安裝技巧和步驟igbt模塊斷開耗損大、拖尾嚴重制約了其在高頻運用的發展，而導致igbt模塊延遲開和關的原因主要有兩層面。文中介紹igbt模塊的散熱器安裝技巧和步驟。1.1只igbt模塊組裝在1個散熱器上，igbt模塊組裝在散熱器中心，則熱阻會最小。2.1個散熱器如組裝多只igbt模塊，則要在充分考慮耗損外還要按照不同igbt模塊來分配面積。3.igbt模塊組裝散熱器的螺釘位置外表粗糙度在10μm之內，平面度控制在100μm之內。4.igbt模塊與散熱器間涂抹散熱絕緣混合劑，涂抹計較主要是要確保在igb...

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可控硅有什么主要用途

2022-03-09

可控硅是1種十分重要的功率器件，主要特點是借助小電流完成高電壓、大電流的控制，在實際使用中主要是用作可控整流器件和可控電子開關使用，可用作電動機驅動控制、電動機調速控制、電量通/斷、調壓、控溫等的控制器件，普遍使用于電子電器產品、工業控制及自動化生產領域。1.可控硅用作可控整流器件使用可控硅可與整流器件組成調壓線路，使整流線路輸出電壓具備可調性。下圖圖為由可控硅組成的典型調壓線路。 2.可控硅用作可控電子開關使用在許多電子產品線路中，可控硅在大多數情況下起著可控電子開關的功能，即在線路中由其本身的導通和截止來控制線路接通、斷開。下圖為可控硅用作可控電子開關在線路中的使用...

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igbt模塊讀寫速度怎么提高？

2022-03-08

igbt模塊斷開耗損大、拖尾嚴重制約了其在高頻運用的發展，而導致igbt模塊延遲開和關的原因主要有兩層面。文中將各自對應這兩層面，提出對應的解決方案，解決元器件拖尾問題，提高igbt模塊開關速度。igbt模塊斷開耗損大、拖尾是嚴重制約高頻運用的攔路虎。這問題由兩層面組成：1）igbt模塊的主導元器件—GTR的基區儲存電荷問題。2）柵寄生電阻和柵驅動電荷，組成了RC延遲網絡，導致igbt模塊延遲開和關。這兒，首要探討原因一的解決方案。解決線路見圖（1）。 圖1：提高igbt模塊開關速度技巧（一）igbt模塊的GTR是借助基區N型半導體，在開通時，通過施加基極電流，使之轉為P型，將...

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可控硅模塊工作原理

2022-03-07

晶閘管在運行過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，構成可控硅模塊的主線路，可控硅模塊的門極G和陰極K與控制可控硅模塊的設備連接，構成可控硅模塊的控制電路。 可控硅模塊為半控型電力電子元器件，它的運行情況以下：1.可控硅模塊承擔反方向陽極電壓時，不論門極承擔何種電壓，可控硅模塊都處在反方向阻斷模式。2.可控硅模塊承擔正方向陽極電壓時，僅在門極承擔正方向電壓的情況下可控硅模塊才導通。這時可控硅模塊處在正向導通模式，這就是可控硅模塊的閘流特性，即可控特性。3.可控硅模塊在導通情況下，只需有一定的正方向陽極電壓，不論門極電壓如何，可控硅模塊維持導通，即可控硅模塊導通后，門極喪失作用。門極...

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igbt模塊元器件自損快速檢測法

2022-03-04

1種新型igbt模塊元器件自損快速檢測法（即門極電流ig檢測法）當igbt模塊元器件毀壞時，門極與發射極間也被擊穿，但因為結電容的作用，門極電壓變動緩慢。但按照電路理論i=cdu/dt得知，門極電流ig變動比門極電壓vge快得多。所以，可以綜合igbt模塊的門極脈沖指令與門極電流來準確、快速地判定igbt模塊是不是毀壞。一經檢測到某一igbt模塊毀壞，立即封鎖igbt模塊脈沖指令，能完全避免并接回路大量igbt模塊毀壞，并不會擴大故障范圍。具體原理圖如圖4所顯示。 圖4：門極電流檢測和保護原理圖igbt模塊元器件正常時，當門極電壓給定信號從on切換成off后，igbt模塊門極電流ig數值十分小，具體數...

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