
雙向可控硅的檢測方法
雙向可控硅的檢測方法
2021-06-23
圖可控硅模塊檢測接線示意圖 可控硅模塊的導通管壓降約為1V,觸發(fā)電壓通常在1~4V之內,因此可將恒壓源空載電壓調至10V之下,如6V,恒定電流根據所檢測元器件的功率而定,針對功率模塊,可送入3A左右的電流。將紅夾子接可控硅模塊的陽極,黑夾子接陰極,用導線短接下A、G極,這時顯示可控硅模塊導通電壓降和導通電流值。特別注意,檢測塑封小功率可控硅模塊時,可送入百毫安級電流,檢測時間不要太長,以免過熱燒毀。檢測大功率模塊時,可送入較大檢測電流。若出現無法觸發(fā),或導通壓降太大的情況,表明可控硅模塊性能變差或毀壞。檢測雙向可控硅模塊的形式,與圖7連線形式是相同的。以上就是傳承電子對雙向可控硅的檢測...
了解詳情
IGBT串聯(lián)電壓不平衡怎么辦?
IGBT串聯(lián)電壓不平衡怎么辦?
2021-06-23
隨之電力電子工藝的進步和發(fā)展,柔性直流輸電在處理遠距離,大容量輸電,新能源分布式電源連接,及特大型交直流混合電網面對的眾多難題時都將呈現出其獨特的優(yōu)勢。身為新一代直流輸電技術,柔性直流輸電為電網輸電形式的轉變和搭建未來電網提供了有效的解決方法,將在提升 電網的整體經濟效益及推動經濟社會的可持續(xù)發(fā)展等層面起到關鍵作用。隨之全球能源互聯(lián)網理念的提到,柔性直流輸電也將向著更高電壓等級、更大容量目標發(fā)展。為了能滿足電力系統(tǒng)高電壓領域使用須要,通常選用元器件或 集成組件的串連、級聯(lián)工藝。 選用igbt模塊直接串連的換流閥工藝具備結構緊湊、低成本、占地面小、調節(jié)簡便的優(yōu)勢;選用換流單元級聯(lián)的模塊化多電平換流閥工藝具備模塊...
了解詳情
雙向可控硅如何對接單片
雙向可控硅如何對接單片
2021-06-22
用單片機操控工頻交流電,最便捷的是選用雙向可控硅模塊。為防止可控硅模塊導通一瞬間形成的沖擊電流造成的干擾和對電源的影響,能夠選用過零觸發(fā)的形式。過零觸發(fā)雙向可控硅模塊觸發(fā)線路 可控硅功率模塊檢測方法:可控硅模塊外觀及工作原理、符號圖圖單向可控硅模塊外觀及工作原理與符號圖 圖雙向可控硅模塊工作原理與符號 單、雙向可控硅模塊盡管在構造和工作原理上稍有差異,但檢測方法是相同的,并且大功率模塊,為單向可控硅模塊。對可控硅模塊模塊,完全能夠在線檢修其好壞。以上就是傳承電子對雙向可控硅如何對接單片的介紹,傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商,為眾...
了解詳情
電磁爐igbt模塊管代替遵循原則
電磁爐igbt模塊管代替遵循原則
2021-06-21
igbt模塊是電磁爐經常容易受損的元件之一,經驗老到的維修人員對于電磁爐不運行,會很容易想到到igbt模塊是不是損壞,也正是因為這樣,設計時對igbt模塊進行溫度檢測,當溫度到達一定值時斷開輸入,如此對igbt模塊也是1種保護措施,另外也有過壓、過流保護等,所以,倘若igbt模塊管燒毀想替代1個,那么便要按照實際情況來代替,通常遵循幾個原則: 1、寧大勿小因為igbt模塊管運行在高電壓、大電流、溫度高情況,通常不超過2000W的電磁爐在同樣的環(huán)境選用20A~30A的igbt模塊便可,如H20R12031200V20A可以用FGA25N1201200V25A代替,盡管抗壓相同,但你細致觀察會看到在別的領域還是...
了解詳情
什么是可控硅模塊
什么是可控硅模塊
2021-06-21
可控硅模塊在具體使用中線路形式最多的是其柵極觸發(fā)電路,歸納起來有直流觸發(fā)線路,交流觸發(fā)線路,相位觸發(fā)線路等。1。直流觸發(fā)線路:如下圖G2是一個電視機經常使用的過壓保護線路,當E+電壓過高時A點電壓也變高,當它高過穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ導通,可控硅模塊D受觸發(fā)而導通將E+短路,使保險絲RJ熔斷,進而具有過壓保護的效果。 2。相位觸發(fā)線路:相位觸發(fā)線路實際上是交流觸發(fā)線路的1種,如下圖G3,這一線路的方式是借助RC電路控制觸發(fā)信號的相位。當R值較少時,RC時間常數較少,觸發(fā)信號的相移A1較少,因而負載得到很大的電功率;當R值很大時,RC時間常數很大,觸發(fā)信號的相移A2很大,因而負載得到較少的電功率。這一...
了解詳情