可控硅的用法用處

2021-06-18

可控硅模塊在自動控制控制，機電行業，工業電氣及家電等層面均有普遍的使用。可控硅模塊是1種有源開關元件，平時它維持在非導通情況，直至由1個較少的控制信號對其觸發或稱“點火”使其導通，一旦被點火即便拿走觸發信號它也維持導通情況，要使其斷開可在其陽極與陰極間添加反方向電壓或將經過可控硅模塊二極管的電流降低到某1個值以下。 可控硅模塊二極管可以用兩種不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如下圖G1所顯示。當可控硅模塊的柵極懸空時，BG1和BG2都處在斷開情況，這時線路基本上沒電流經過負載電阻RL，當柵極輸進1個正脈沖電壓時BG2導通，使BG1的基極電位下降，BG1因而開始導通，BG1的導通使得BG2的基極電位進一步...

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測試igbt模塊的簡易方式

2021-06-17

l、辨別極性第一步將數字萬用表撥在R×1KQ檔，用萬用表測量時，若某個極與其他兩極阻值為無窮，調換電筆后該極與其他兩極的阻值仍為無窮，則辨別此極為柵極（G）。其他兩極再用萬用表測量，若測出阻值為無窮，調換電筆后測定阻值較小。在測定阻值較小的1次中，則辨別紅電筆接的為集電極（C）：黑電筆接的為發射極（E）。2、辨別優劣將數字萬用表撥在R×10KQ檔，用黑電筆接 igbt模塊 的集電極（C），紅電筆接igbt模塊的發時極（E），此時數字萬用表的表針在零位。用手指一起碰觸一下柵極（G）和集電極（C），此時工GBT被觸發導通，數字萬用表的表針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某個位置。之后再用手指一起碰觸一下柵極（G）和發射極（E）...

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可控硅模塊元器件的構造

2021-06-17

1種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端元器件，研發于1957年，因為它性能類似真空閘流管，因此 國際上統稱為硅晶體閘流管，簡稱為晶閘管T。又因為晶閘管起初使用于可控整流層面因此 又稱之為硅可控整流元器件，簡稱為為可控硅模塊SCR。在性能上，可控硅模塊不但具備單向導電性，且還具備比硅整流元器件（別名“死硅”）更加珍貴的可控性。它唯有導通和斷開2種模式。可控硅模塊能以毫安級電流操控大功率的機械設備，倘若超出此頻率，因元器件開關損耗明顯增多，準許經過的平均電流相減少，這時，標稱電流應降級使用。可控硅模塊的優點不少，比如：以小功率操控大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；響應訊速，在微秒級內導通、斷開；無觸點運...

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晶閘管模塊的保護形式之過電流保護

2021-06-15

凡流過晶閘管模塊的電流大大超出其正常運行電流時，都叫過電流。過電流形成時，如無保障措施，晶閘管模塊會因過熱而毀壞。所以要采取過流保護措施，在晶閘管模塊未損壞之前就迅速地把過電流消除。常用的過流保護措施如圖4所示，可以根據實際情況選取當中1種或數種做晶閘管模塊設備的過流保護。各過電流保障措施的作用分別為：①在交流進線中串聯電抗器（無整流變壓器時）或選用漏抗較大的變壓器是限制短路電流、保護晶閘管模塊的有效措施，但負載時電壓有所下降。②在交流側安裝電流檢測設備，借助過電流信號去操控觸發器，使觸發脈沖迅速后移（即α角擴大）或一瞬間截止使晶閘管模塊斷開，進而遏制了過電流。但在可逆系統中，停發脈沖后會導致逆變失敗，所以多...

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雙向可控硅模塊的導通條件

2021-06-11

1.可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端構造元件，一共有3個PN結，解析原理時，可以把它當作由1個PNP管和1個NPN管所組成。當陽極A添加順向電壓時，BG1和BG2管均處在放大模式。這時，要是從控制極G輸入1個順向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極連在一起，因此ib1=ic2。這時，電流ic2再經BG1放大，故此BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這一電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不停增加，這般順向饋循環的結果，2個管子的電流激增，可控硅模塊使飽和導通。因為BG1和BG2所組成的正反饋作用，...

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