如何測(cè)試igbt模塊熱阻抗

2021-06-07

如何測(cè)試熱阻抗Zth（j-r）前邊談及能夠選擇“芯片表層貼熱電偶”或“紅外熱成像儀”的方式 檢測(cè)結(jié)溫，再根據(jù)NTC的溫度和igbt模塊的耗損，理論上是能夠測(cè)算出熱阻Rth（j-r）。但因?yàn)闊犭娕柬憫?yīng)時(shí)間和熱成像儀的刷新率都相應(yīng)比較慢，沒辦法檢測(cè)動(dòng)態(tài)熱阻抗Zth（j-r），因此igbt模塊廠家通常選擇Vce結(jié)溫測(cè)量方法來檢測(cè)igbt模塊的熱阻和熱阻抗曲線。Vce結(jié)溫測(cè)量方法如圖6所顯示。igbt模塊在小電流（10-100mA）狀況下，集-射極壓降Vce和結(jié)溫Tj成線性比例關(guān)聯(lián)，這一關(guān)聯(lián)能夠借助不同溫度下檢測(cè)Vce值的方式 校正出。如此在igbt模塊熱阻檢測(cè)時(shí)就可以借助小電流下Vce的檢測(cè)值推算出實(shí)際的結(jié)溫。這樣的結(jié)溫測(cè)...

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單向可控硅模塊的導(dǎo)通條件

2021-06-04

一、單向可控硅模塊原理可控硅導(dǎo)通條件：一種是可控硅陽極與陰極間需要加正方向電壓，二是控制極也需要加正方向電壓。以上2個(gè)條件需要同時(shí)具備，可控硅才會(huì)處在導(dǎo)通模式。此外，可控硅一經(jīng)導(dǎo)通后，即便 減少控制極電壓或去除控制極電壓，可控硅依然導(dǎo)通。可控硅斷開條件：減少或去除加在可控硅陽極至陰極間的正方向電壓，使陽極電流低于最小維持電流以下。 二、單向可控硅模塊的性能檢測(cè)可控硅品質(zhì)好壞的辨別能從4個(gè)層面實(shí)現(xiàn)。第1是3個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好無損；第2是當(dāng)陰極與陽極間電壓反方向連接時(shí)可以阻斷，不導(dǎo)通；第3是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽極與陰極間的電壓正方向連接時(shí)也不會(huì)導(dǎo)通；第4是給控制極添加正方向電流，給陰極與陽極加正方向電壓...

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為何廠家給不出結(jié)NTC的熱阻Rthj-r？

2021-06-04

某些工程師會(huì)問，igbt模塊規(guī)格書中都能提供igbt模塊結(jié)-殼熱阻Rth（j-c）或結(jié)-散熱器熱阻Rth（j-s），為何不直接給出結(jié)-NTC的熱阻Rth（j-r）如此便能夠借助NTC直接測(cè)算結(jié)溫了。在這先看1個(gè)簡(jiǎn)單的例子。下圖是一個(gè)CIB模塊（7單元）在散熱器上的熱模擬仿真結(jié)果。從圖上能夠得出，模塊的位置和方向發(fā)生改變后，即便最熱igbt模塊芯片的結(jié)溫相同（142°C），但NTC的溫度卻發(fā)生了10°C的轉(zhuǎn)變 ，這便會(huì)導(dǎo)致2個(gè)設(shè)計(jì)中igbt模塊結(jié)-NTC的熱阻Rth（j-r）不一樣，所以igbt模塊廠家單從模塊方面是無法在規(guī)格書中提供結(jié)-NTC的熱阻Rth（j-r），這一熱阻務(wù)必要結(jié)合實(shí)際設(shè)計(jì)才能夠提供。 ...

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雙向可控硅模塊的構(gòu)造

2021-06-03

下圖是雙向可控硅模塊的構(gòu)造。 雙向可控硅（晶閘管）構(gòu)造基本原理：雙向可控硅模塊具備2個(gè)方向輪番導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅模塊本質(zhì)上是2個(gè)反并接的單向可控硅，是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成幾個(gè)PN結(jié)構(gòu)成、有幾個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。因?yàn)橹麟姌O的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從N層引出），因此 它的電極不像單向可控硅那般各自叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫作第1電極A1，另1個(gè)叫作第2電極A2。雙向可控硅模塊的關(guān)鍵缺陷是承擔(dān)電壓上升率的能力較低。這是由于雙向可控硅模塊在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒回到斷掉狀態(tài)的位置，必需采取有效的保障措施。雙向可控硅模塊元件關(guān)鍵用作交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防...

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怎樣檢測(cè)igbt模塊的結(jié)溫

2021-06-03

因?yàn)閕gbt模塊芯片在模塊內(nèi)，且表層一般都覆有硅膠，標(biāo)準(zhǔn)igbt模塊模塊直接檢測(cè)結(jié)溫幾乎是不太可能的。因此，必須igbt模塊生產(chǎn)廠家做一定的處理供應(yīng)專門用于結(jié)溫測(cè)試的樣品。以下為使用端兩種常見的測(cè)量方法：1.芯片表層貼熱電偶igbt模塊模塊生產(chǎn)廠家事先在某些芯片表層貼上熱電偶（如圖3所示），樣機(jī)測(cè)試時(shí)能夠通過數(shù)據(jù)采集儀讀取芯片溫度。 圖3：SEMiX3pigbt模塊芯片表層貼熱電偶要注意的是，貼在芯片表層的熱電偶金屬線也會(huì)帶走部分芯片的熱能，會(huì)導(dǎo)致5-15°C的測(cè)量誤差。此外，在檢測(cè)時(shí)務(wù)必要做好熱電偶和數(shù)據(jù)采集儀間的電位隔離，不然可能會(huì)導(dǎo)致人員傷亡和測(cè)試儀器毀壞。2. 紅外熱成...

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