為何要在晶閘管兩頭并聯阻容網絡

2021-02-21

在實際晶閘管線路中，經常在其兩頭并聯RC串聯網絡，該網絡常稱之為RC阻容吸收線路。 我們知道，晶閘管有個至關重要性能參數－斷態電壓臨界值上升率dlv/dlt。它反映晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態轉到通態的最低標準電壓上升率。若電壓上升率過大，超出了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的條件下開通。即便這時加于晶閘管的正向電壓小于其陽極峰值電壓，也會出現這類情形。所以晶閘管能夠當作是由3個PN結構成。在晶閘管處在阻斷模式下，因各層距離非常近，其J2結結面等同于1個電容C0。當晶閘管陽極電壓轉變時，便會出現充電電流流經電容C0，并經過J3結，這一電流起了門極觸發電流功能。倘若晶閘管在關斷時...

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可控硅（晶閘管）的注意事項

2021-02-21

電流量上升率、電壓上升率的抑止保護1.電流量上升率di/dt的抑止晶閘管初導通時電流量聚集在接近門極的陰極表層較小的范圍，部分電流密度過大，隨后以0.1mm/μs的拓展速度將電流量拓展到整個陰極面，若晶閘管導通時電流量上升率di/dt過大，會造成 PN結擊穿，需要限制晶閘管的電流量上升率使其在適宜的范疇內。其更有效方法是在晶閘管的陽極電路串聯入電感。如下圖: 圖1：串聯電感抑止電路2.電壓上升率dv/dt的抑止加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應有一定的限制,一旦dv/dt過大，基于晶閘管結電容的存在而發生過大的位移電流，該電流能夠本質上發揮觸發電流的效果，使晶閘管正向阻...

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晶閘管（可控硅）的過壓保護

2021-02-21

一、晶閘管的過壓保護晶閘管模塊在運作過程中，會遭到由交流供電電網進到的操作過電壓和雷擊過電壓的侵擾。另外，模塊自身運作中和非正常運作中也有過電壓出現。1.過電壓保護的第一個辦法是并接R-C阻容吸收電路，和用壓敏電阻或硒堆等非線性元器件完成控制。見圖3和圖4。 圖1：阻容三角控制過壓    圖2：壓敏電阻或硒堆控制過壓2.過電壓保護的第二個辦法是選用電子電路完成保護。常用的電子保護原理圖如下： 圖2過壓保護原理圖二、整流晶閘管阻容吸收元件的選擇電容的選擇:C=(2.5-5)×10的負8次方×IfIf=0....

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晶閘管（可控硅）過電流保護

2021-02-21

晶閘管元件導致過電流的根本原因能夠 分成兩種:一種是因為整流電路內部因素,如整流晶閘管受損,觸發線路或控制系統有障礙等;當中整流橋晶閘管受損類比較嚴重,通常是因為晶閘管因過電壓而擊穿,導致無正、反向阻斷功能，它等同于整流橋臂發生永久性短路，使在其它兩橋臂晶閘管導通時，不能正常換流，從而導致線間短路導致過電流.另一種則是整流橋負載外電路產生短路而導致的過電流，這類現象常有發生，因為整流橋的負載本質是逆變橋,逆變電路換流失敗，就等同于整流橋負載短路。其它，如整流變壓器中心點接地，當逆變負載回路觸及大地時，也會產生整流橋相對地短路。針對第一種過電流，即整流橋內部緣故導致的過電流，及其逆變器負載回路接地時，能夠 選用第一種防護措施，...

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可控硅的作用及其用途

2021-02-21

可控硅縮寫為SCR，是可控硅整流元器件的簡稱，有時候也將其叫做晶閘管?？煽毓枋且粋€具備3個PN結、四層構造的大功率半導體元器件，具備體型小、構造簡易、作用強、抗高壓的特性，如今已普遍使用于電視機、電冰箱、無線電遙控、攝像機、定時控制器等設施中。 1、可控整流作用可控硅的作用其一便是可控整流，這也是可控硅最主要也最重要的作用。我們所熟識的二極管整流電路只可實現整流的作用，并不能實現可控，而只要把二極管換做可控硅，便組成了一個可控整流電路。在一個最主要的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處在正半周時，只能在控制極另加觸發脈沖時，可控硅才被觸發導通，負載上才有電壓輸出，所以若利用變化控制極上觸發脈沖來...

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