igbt模塊之阻斷與閂鎖

2021-05-28

當集電極被提升1個反方向電壓時，J1便會遭受反方向偏壓控制，耗盡層則會向N-區擴展。因太多地降低這個層面的厚度，將不能獲得1個有效的阻斷能力，因此，這一機制極為重要。另一方面，倘若過大地提升這一區域尺寸，便會連續地提高壓降。第二點清晰地表明了NPT器件的壓降比等效(IC和速度一樣)PT器件的壓降高的原因。當柵極和發射極短路并在集電極端子提升1個正電壓時，P/NJ3結受反方向電壓控制。這時，依然是由N漂移區中的耗盡層承擔外界提升的電壓。igbt模塊在集電極與發射極間有個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在一定條件下，這類寄生器件會導通。這類情況會使集電極與發射極間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力減少，一般也會造...

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雙向可控硅模塊的特點及作用

2021-05-27

1.雙向可控硅模塊替的主要優勢表現在：（1）大功率雙向可控硅模塊為無觸點式開關，無火苗、使用期長、體型小、沒有噪音；（2）接觸器運行時，其控制線路要消耗相應的電能，而可控硅模塊為弱電控制，控制線路耗電微乎其微；（3）接觸器控制回路中，作業者觸及的元器件電壓都較高，不安全，而大功率雙向可控硅模塊控制回路中作業者只觸及5~15V的直流低壓電源，十分安全可靠；（4）大功率雙向可控硅模塊為弱電控制強電，弱電線路更新便捷，較易于制定出滿足各種要求的控制回路。 2.雙向可控硅模塊替在線路中的主要用途雙向可控硅模塊最基本的作用是可控整流。大家熟知的二極管整流線路歸于不可控整流線路。倘若把二極...

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igbt模塊原理

2021-05-26

1、方法igbt模塊是強電流、高電壓使用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于完成1個較高的擊穿電壓BVDSS要1個源漏通道，而這一通道卻具備很高的電阻率，因此導致功率MOSFET具備RDS(on)數值高的特性，igbt模塊有著了現有功率MOSFET的這些主要缺陷。盡管最新一代功率MOSFET器件極大幅度改善了RDS(on)特性，但在高電平時，功率導通耗損依然要比igbt模塊技術超出很多。較低的壓降，轉變成1個低VCE(sat)的能力，及其igbt模塊的結構，同一標準雙極器件相比，可支持更高一些電流密度，并簡單化igbt模塊驅動器的原理圖。 2、導通igbt模塊硅片的構造與功率MOSF...

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雙向可控硅幾大基本要素解析

2021-05-26

一、雙向可控硅模塊介紹雙向可控硅模塊TRIAC為三端雙向可控硅模塊開關，亦稱作雙向晶閘管或雙向可控硅模塊。TRIAC為三端元器件，其三端各為T1（第2端子或第2陽極），T2（第1端子或第1陽極）和G（控制極）亦為一閘極控制開關，與SCR最大的不同之處取決于TRIAC不論于順向或反向電壓時皆可導通，其符號結構及外型，如圖1所示。 二、雙向可控硅模塊觸發特點因為TRIAC為控制極控制的雙向可控硅模塊，控制極電壓VG極性與陽極間之電壓VT1T24種組合各如下：（1）、VT1T2為正，VG為正。（2）、VT1T2為正，VG為負。（3）、VT1T2為負，VG為正。（4）、VT1T...

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igbt模塊的動態特性

2021-05-25

igbt模塊在導通過程中，大多數時間是當作MOSFET來運作的，僅僅在漏源電壓Uds降低過程后期，PNP晶體管由放大區至飽和，又增多了一段延遲時間。td(on)為導通延遲時間，tri為電流上升時間。實際上使用中常給出的漏極電流導通時間ton即是td(on)tri之和。漏源電壓的下降時間由tfe1和tfe2組成。 igbt模塊的觸發和斷開需要給其柵極和基極間加之正方向電壓和反向電壓，柵極電壓可由不一樣的驅動電路形成。當選用這類驅動電路時，需要依托于下列的參數來進行：器件斷開偏置的需要、柵極電荷的需要、耐固性需要和電源的狀況。由于igbt模塊柵極-發射極阻抗大，故可使用MOSFET驅動工藝進行觸發，但是由于igbt模塊的...

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