可控硅模塊整流線路波形分析

2021-05-24

1、單相半波可控整流（1）電阻性負(fù)載（見圖1）電阻性負(fù)載，id波形與ud波形類似，由于可控硅模塊T與負(fù)載電阻Rd串連，因此id=id。可控硅模塊T承擔(dān)的正方向工作電壓隨控制角α而變動(dòng)，但它承擔(dān)的反方向工作電壓往往是負(fù)半波工作電壓，負(fù)半波工作電壓的最大值為U2。線路簡(jiǎn)易，常用在需求不高的電阻負(fù)載的情況。（2）感性負(fù)載（不帶續(xù)流二極管，見圖5）： 圖5電感性負(fù)載無續(xù)流二極管電機(jī)電器的電磁線圈、帶電感濾波的電阻負(fù)載等均是電感性負(fù)載。電感有著障礙電流變化的功能可控硅模塊T導(dǎo)通時(shí)，其壓降uT=0，但電流id只能從零開始上升。id增加和減少時(shí)線圈Ld兩邊的感應(yīng)電動(dòng)...

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igbt模塊基礎(chǔ)知識(shí)梳理

2021-05-21

有關(guān)igbt模塊你了解多少，igbt模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)構(gòu)成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體元器件,兼具M(jìn)OSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩層面的優(yōu)勢(shì)。GTR飽和壓減少，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流很大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。igbt模塊綜合了上述2種元器件的優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓減少。特別適合用于直流電壓為600V及上述的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等行業(yè)。構(gòu)造igbt模塊結(jié)構(gòu)圖左邊所顯示為1個(gè)N溝道增強(qiáng)...

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可控硅整流線路：?jiǎn)蜗鄻蚴桨肟卣骶€路

2021-05-20

1、工作原理線路與波型如下圖3所顯示 圖3、單相橋式半控整流正半周：t1時(shí)刻添加ug1，T1導(dǎo)通，電流通路如下圖實(shí)線所顯示。uT1=0,ud=u2,uT2=-u2。u2過零時(shí)，T1自行斷開。負(fù)半周：t2時(shí)刻添加ug2，T2導(dǎo)通，電流通路如下圖虛線所顯示，uT2=0，ud=-u2,ut1=u2。u2過零時(shí)T2自行斷開。2、各電量關(guān)聯(lián)由圖3看得見，ud波型為非正弦波，其幅值為半波整流的2倍，因此Rd上的直流電壓Ud： 直流電流Id： 電壓有效值U： 電流有效值I： 功率因數(shù)cosψ： 比...

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igbt模塊驅(qū)動(dòng)線路的電流尖峰抑止方案

2021-05-19

按照脈沖滲碳電源需，文中設(shè)計(jì)了1種有著可靠性高、信號(hào)傳遞無延緩、驅(qū)動(dòng)水平強(qiáng)等特性的igbt模塊強(qiáng)驅(qū)動(dòng)線路，深入分析了原理，并對(duì)線路檢測(cè)中造成的電流尖峰建立了抑止。在這個(gè)基礎(chǔ)上獲得幾個(gè)關(guān)鍵影響驅(qū)動(dòng)線路的原因。實(shí)際用作大功率igbt模塊橋線路驅(qū)動(dòng)，運(yùn)行穩(wěn)定可靠。結(jié)果顯示，所設(shè)計(jì)的線路構(gòu)造簡(jiǎn)易，驅(qū)動(dòng)水平強(qiáng)，可靠性高，且對(duì)用變壓器驅(qū)動(dòng)大功率全橋線路有通用性。在脈沖電源中，驅(qū)動(dòng)線路的優(yōu)劣直接影響到逆變器是否正常的運(yùn)行。好的驅(qū)動(dòng)線路第一步要確保開關(guān)管確保，第二還需使開關(guān)管有著較小的耗損。這二者之間還是矛盾的。因?yàn)橛晒β书_關(guān)元件引發(fā)的耗損主要是開關(guān)損耗(導(dǎo)通耗損和關(guān)斷耗損)。開關(guān)損耗與驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)的上升沿陡度...

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可控硅模塊整流線路：?jiǎn)蜗喟氩煽卣骶€路

2021-05-18

1、工作原理線路和波型如下圖1所顯示，設(shè)u2=U2sinω。 圖1單相半波可控整流正半周：0＜t＜t1,ug=0,T正方向阻斷，id=0,uT=u2,ud=0t=t時(shí),添加ug脈沖，T導(dǎo)通，忽視其正方向壓降，uT=0,ud=u2,id=ud/Rd。負(fù)半周：π≤t＜2π當(dāng)u2自然過零時(shí)，T自行斷開而處在反方向阻斷情況，ut=0,ud=0,id=0。 從0到t1的電度角為α，叫調(diào)控角。從t1到π的電度角為θ，叫導(dǎo)通角，顯而易見α+θ=π。當(dāng)α=0，θ=180度時(shí)，可控硅模塊全導(dǎo)通，與不控整流相同，當(dāng)α=180度，θ=0度時(shí)，可控硅模塊全斷開，輸出電壓為...

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