全數字雙向可控硅模塊線路

2021-05-13

圖1所顯示的簡易數字電路能夠用作精準地調控交流電源，線路沒有任何的數字到模擬轉變線路。在應用領域中，系統的調控計算機傳送有效數據字到SH74HCT534，經鎖存后，利用2進制比較器SN74LS682同異步波型計數器SN74HC4040的輸出相比較。 圖1全數字雙向可控硅線路SH74HC4040由1MHz的時鐘驅動，它能夠提供精準的50Hz~60Hz時鐘。在交流電源的零點交叉處，雙向光耦TIL194B清除SH74HC4040的輸出，使SW4HC4040與交流信號同步。在零交叉點，2進制比較器的輸出無效。2進制比較器的輸出調控隔離可控珪光耦TIL3020。在零交叉點后，計數器開始計數。2進制比較器的輸出仍...

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igbt模塊各中原因受損解決方法介紹

2021-05-13

1、過電壓毀壞預防過電壓毀壞方式有：優化主線路的工藝構造，經過減小大電流回路的路徑來減少線路內寄生電感；適度提高igbt模塊驅動電阻Rg使開關速度減慢（但開關損耗也提高了）；設計緩沖線路，對尖峰電壓實現抑制。用作緩沖線路中的二極管必需是快恢復的二極管，電容器必需是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。如此才可以獲得好的吸收作用。常見線路有耗能式和回饋式緩沖線路。回饋式又有無源式和有源式2種，詳細電路設計可參照所選用元件的技術手冊。 2、橋臂共導毀壞在UPS中，逆變橋同臂支路2個驅動必需是互鎖的，并且應當設定死區時間（即一起不導通時間）。倘若出現共導，igbt模塊會迅速毀壞。在控制電路應當...

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“以小控大”的可控硅模塊

2021-05-12

第一步，我們可以把從陰極往上數的一、二、三層看面是1只NPN型號晶體管，而二、三四層構成另外一只PNP型晶體管。當中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極間加之1個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C間（相當BG1的基一射間）鍵入1個正的觸發信號，BG1將造成基極電流Ib1，經擴大，BG1將有個擴大了β1倍的集電極電流IC1。由于BG1集電極與BG2基極相接，IC1更是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）擴大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極擴大。這般循環擴大，直至BG1、BG2徹底導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅模塊來說，觸發信號加入控制極，可控硅模塊...

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igbt模塊過電流毀壞解決對策

2021-05-12

為了避免igbt模塊出現擎住效應而毀壞，線路設計中應確保igbt模塊的最大的工作電流應不超過igbt模塊的IDM值，此外注意可適度增加驅動電阻RG的方式延長斷開時間，減小igbt模塊的di/dt。驅動電壓的大小也會影響igbt模塊的擎住效應，驅動電壓低，承擔過電流時間長，igbt模塊必需加負偏壓，igbt模塊生產廠家通常建議加-5V左右的反偏電壓。在有負偏壓情況下，驅動正電壓在10—15V間，漏極電流可在5～10μs內超出額定電流的4～10倍，因此驅動igbt模塊必需設計負偏壓。因為UPS負載沖擊特性各有不同，且供電的裝備很有可能出現電源故障短路，因此在UPS設計中實行限流措施進行igbt模塊的電流限制也是必需的，可考慮采用...

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可控硅模塊的構造和特性

2021-05-11

可控硅是可控硅整流元器件的簡稱，是1種有著3個PN結的四層構造的大功率半導體元器件。事實上，可控硅模塊的作用不但是整流，它還能用作無觸點開關以快速接通或切斷線路，完成將直流電轉為交流電的逆變，將1種頻率的交流電轉為另一種頻率的交流電，等。可控硅模塊和其它半導體元器件相同，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等特點。它的面世，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，變成工業、農業、交通運輸、軍事科研甚至商業、民用電器等方面紛紛采用的元器件。 可控硅模塊的構造和特性可控硅模塊從外型上分主要有螺旋式、平板式和平底式3種。螺旋式的使用較多。可控硅模塊有3個電極——陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。 ...

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